我曾在视频和文章中讨论过,为什么更小的线宽和更小的间距需要使用更低的铜厚。主要原因在于,当基铜箔的厚度与导线宽度接近时,制造商无法将铜蚀刻到非常小的线宽和线距,例如 2 mil/50 微米。正因如此,HDI PCB 中使用的最小线宽和线距,其走线截面往往更接近方形长宽比,而不是较宽的梯形。这种情况在线路位于带状线层时尤为明显。
当铜膜更薄并对应更细的线宽时,线路阻抗会发生什么变化?尤其是,对于一定范围内的铜厚变化,线路阻抗会如何波动?这些问题非常重要,因为它们会影响你在传输线、天线、印刷 RF 电路,或任何需要依靠铜层维持阻抗控制的电路仿真中,能够接受多大的裕量。本文将探讨这些问题,并展示一些基于实际铜膜厚度波动所得到的线路阻抗变化数据。
如上所述,UHDI 设计中的铜走线,其截面形状更接近方形,而不是典型的矩形或梯形。梯形截面是减成法蚀刻造成的;这是因为蚀刻液会持续侵蚀铜箔暴露表面。随着铜厚降低,蚀刻时间会缩短,从而减小走线的蚀刻因子,使其外形看起来更接近方形。
HDI 与 UHDI 的典型分界点在于是否需要采用加成法工艺;SAP or mSAP 是制造 UHDI 设计中 50 微米以下线宽所必需的工艺。采用加成法时,不存在蚀刻过程,沉积形成的铜会比蚀刻铜呈现出更接近方形的轮廓。下图展示了一个在味之素积层膜(ABF)上采用加成法沉积的带状线示例。这些走线沉积在 ABF 上,然后再覆盖一层粘结层,从而形成带状线。
这些走线的尺寸波动非常小,在左图所示走线上仅有几微米。对比其截面尺寸,水平和垂直方向大约都为 40 微米。再将这种波动与典型蚀刻走线进行比较,仅表面粗糙度本身就可能带来几微米的变化,而边缘均匀性和铜箔平整度也会产生类似的偏差。
从信号完整性的角度来看,这引出了两个重要问题:
首先,我们来看看典型标准 PCB 叠层会发生什么。基铜通常为每平方英尺 0.5 oz 的铜箔,而外层通常会电镀到约每平方英尺 1.0 oz 的铜厚,以便制造通孔过孔。
在采用减成法蚀刻生产的 HDI 设计中,为了实现更小的线宽和间距,基铜可能从每平方英尺 0.25 oz 开始。然后可对孔进行选择性电镀,使微盲孔制造过程中不会影响适当的铜厚,而外层最终可处理到每平方英尺 0.5 oz 至 1.0 oz 之间。在采用加成法制造的 UHDI PCB 中,铜厚甚至可低至每平方英尺 1/8 oz。
PCB 构建类型 | 铜厚 |
标准构建(基铜箔) | 0.5 oz/平方英尺,外层电镀至约 1.0 oz/平方英尺 |
HDI(减成法蚀刻) | 基铜 0.25 oz/平方英尺,外层处理至 0.5–1.0 oz/平方英尺 |
UHDI(加成法) | 最低可至 1/8 oz/平方英尺 |
我们可以使用 Altium Designer 中的 Layer Stack Manager,在保持相同线宽的前提下,计算围绕这些铜厚数值变化时的阻抗变化。这使我们能够提取出一条曲线,显示铜厚因自然工艺波动而变化时,阻抗是如何随之变化的。
在进行多次仿真、保持线宽不变并改变铜厚之后,我们提取出了下方所示的曲线,分别对应目标阻抗为 50 欧姆的带状线和微带线。这些曲线总体呈现出随着铜厚略微增加、阻抗下降的趋势,这与我们对走线阻抗的直觉一致。然而,插值数据及其导数表明,当初始铜膜厚度更小时,走线阻抗变化会更大。
现在,将上图中的厚度变化与 ABF 上带状线的 SEM 图像中所见的厚度变化进行比较。仅仅由于加成沉积工艺中几微米的变化,对于一条 50 欧姆带状线,我们就可能看到 1.5–2 欧姆的阻抗波动。如果你的走线阻抗标准容差是 10%,那就意味着工艺波动已经吃掉了大约 30–40% 的允许裕量。
那么减成法蚀刻的板子呢?同样数量级的变化(几微米)也是带状线粗化铜表面中常见的情况。图表显示其阻抗变化较小(大约小 50%)。不过,在这种情况下,更重要的影响来自于趋肤效应增强所带来的损耗,而这在高频下也会引起其自身的阻抗变化。
对于采用加成法制造的 UHDI 板,上述结果意味着,实际上你制成的 PCB 所能接受的阻抗容差只有 6–7%,而不是 10%。
几个百分点听起来似乎不多,那么它会如何影响信号完整性呢?本质上,这要求你在利用 S 参数曲线判断通道带宽时,增加你所接受的裕量。通常有一个事实上的 -10 dB S11 限值,超过这个限值时,我们一般认为阻抗偏离目标值过多。因此,你需要施加额外裕量,可能需要将最大损耗值设定得低至 -15 dB,以确保有足够的余量。
对于高带宽串行通道,或者串扰严重的高密度并行通道来说,每一点噪声裕量都很关键,而这些损耗会在实测结果或眼图仿真中体现出来。除了查看 S 参数可能波动的范围之外,目前仍缺乏足够成熟的设计方法来应对这种偏差;而这个范围可以通过仿真或在测试 coupon 上测量获得。
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