谁还在做射频功率器件？2027 年供应商版图

本系列的第一篇文章 6G Has a Date Now – Your RF Front End Has a Deadline指出，接近 7 GHz 的新频谱将需要新的射频前端。支持这些设计的 RF 功率供应基础正在发生变化。NXP 正在逐步停止其 Radio Power 产品线，并关闭其位于亚利桑那州 Chandler 的 ECHO 氮化镓（GaN）晶圆厂。

目前仍在使用 NXP RF 功率器件的设计，现在需要来自其他供应商的合格替代方案。本文将梳理目前仍在生产 RF 功率器件的厂商、供应格局正在如何变化，以及如何在这一过渡过程中保持 RF BOM 的韧性。

关键要点

• NXP 的 Radio Power 最后采购窗口已经关闭：订购已于 2026 年 9 月 30 日结束，最终交付将持续至 2027 年 9 月 30 日。
• 不存在单一的替代器件池：SEDI、Qorvo、Ampleon、MACOM、RFHIC 和 Mitsubishi Electric 各自覆盖不同的频率、功率、封装和应用组合。
• 其他供应商正在填补这一空缺：Ampleon 正在扩展其 5G GaN 产品组合，MACOM 现已控制一家 GaN-on-SiC RF 晶圆厂，而中国也在建设自身的 RF GaN 供应链。
• 生命周期韧性始于设计导入阶段：从第一版原理图开始，就应在设计计划中纳入合格替代器件，以及应对生命周期和供应商变化的明确流程。

NXP 的最后采购窗口已经关闭

NXP Radio Power 的两个最后采购窗口现已全部关闭。 第一份停产通知在更新后，将最后采购日期设为 2026 年 6 月 10 日，交付于 12 月 10 日结束。 第二份通知已于 2026 年 9 月 30 日关闭订购，最终交付将持续至 2027 年 9 月 30 日。

NXP 之后的版图

并不存在一份通用的 NXP 替代清单。可行的供应商集合会随着频率、输出功率、封装、功率放大器（PA）架构、认证要求，以及设计面向的是电信、工业还是国防市场而变化。  

在 6 GHz 以下的无线基础设施领域，多家供应商都拥有活跃的 GaN 产品组合。 Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI)生产用于移动基站（包括 5G 应用）的 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）。 RFHIC列有面向 4G 和 5G 宏基站基础设施的量产级 GaN-on-silicon carbide (SiC) 晶体管，其产品覆盖 3.4 至 5.0 GHz 频段。 

Mitsubishi Electric自 2023 年以来已推出三款面向 5G massive MIMO 基站的 GaN 功率放大器模块样品， 最近一次是在 2025 年 3 月。 Qorvo列有量产级基础设施用 GaN 功率放大器及更广泛的射频前端器件。 Ampleon同时覆盖 LDMOS 和 GaN，而 MACOM则提供 GaN-on-SiC 产品、单片微波集成电路（MMIC）以及自有代工能力。

在 6 GHz 以下，供应商版图已经较为稳定。而接近 7 GHz 时，面向蜂窝基础设施的量产器件仍然稀缺。Mitsubishi Electric 已展示了一款用于 5G-Advanced 的 7 GHz GaN 功率放大器模块原型。RFHIC 提供了一款处于送样阶段的 5.8 至 7.2 GHz GaN 放大器，而 Qorvo 则列出了一款用于更广泛 RF 应用的量产级 6 至 12 GHz GaN 功率放大器。GaN 在这些频率下可以工作，但面向频率范围 3（FR3）蜂窝基础设施的量产供应商池尚未完全形成。

Ampleon 和 MACOM 正在填补这一空缺

Ampleon 于 2015 年从 NXP 的 RF Power 业务中分拆出来，因此与其前母公司有最清晰的历史关联。2026 年春夏期间，它在产品目录中新增了多款无线基础设施器件，包括一款 用于 3.4 至 4.0 GHz 的 70 W GaN Doherty 晶体管、一款 用于 4.8 至 5.0 GHz 的 55 W GaN 器件，以及一款 全集成 70 W GaN massive-MIMO 功率放大器模块。

在其 2026 年 5 月财报电话会议上，MACOM 管理层表示，来自竞争对手退出 RF 功率市场所带来的任何新增收入，可能要到 2027 年下半年才会显现。客户仍在消化最后采购库存，而将 RF 功率级切换到新供应商，需要在形成批量出货之前完成重新设计和认证工作。

2025 年 7 月，MACOM 还 提前约六个月全面接管了原 Wolfspeed RF 晶圆厂，该厂位于 Research Triangle Park。该晶圆厂是经美国国防部（DoD）认证的 Trusted Foundry，运行用于电信和国防领域 RF 功率器件及 MMIC 的 GaN-on-SiC 工艺。

Skyworks 完成对 Qorvo 的收购

RF 供应商基础的另一部分也已整合。Skyworks 于 2025 年 10 月宣布达成收购 Qorvo 的协议， 并于 2026 年 9 月 30 日获得最后一项监管批准，交易于 10 月初完成。

大型半导体并购在产品线重叠时，可能导致产品组合整合。在合并后的路线图明朗之前，任何依赖 Skyworks 或 Qorvo 重叠产品家族的新设计导入，都应先进行生命周期审查。这种整合风险不仅限于高功率基站 PA，因为两家公司都横跨多个 RF 前端层级开展业务。

中国正在构建自己的 RF GaN 产业链

中国正在推动 RF GaN 产业链更多环节的本土化。 SICC提供用于 GaN RF 器件的高阻 SiC 衬底，而 Sanan IC则运营一个 4 英寸 GaN-on-SiC 代工平台，目标应用包括 massive-MIMO 基站和未来的 FR3 应用。Sanan 表示，其 5G PA 工艺已实现客户稳定量产，不过具体项目能否使用该产能，还取决于认证、采购以及贸易管制等限制。

打造具备韧性的 RF BOM 的四项实践

生命周期韧性的关键，在于足够早地发现变化并及时采取行动，同时还要有现成流程来响应。这四项实践可缩短供应商变化与工程响应之间的时间差。

1. 在设计导入阶段检查生命周期状态。在原理图和认证计划仍可调整时，就识别单一来源或老化器件，这样你就有时间评估替代方案，而不至于被迫在后期重新设计。

2. 在主器件仍在生产时完成替代器件认证。对于 RF 功率器件，认证可能包括匹配、偏置、热行为、布局、线性度、预失真以及生产测试。在将替代器件作为第二来源依赖之前，应先完成这些工作。

3. 为产品变更通知（PCN）指定明确责任人，并建立 清晰流程。指定的责任人需要记录每一份通知，识别受影响的 BOM 和项目，给出处置方式（替代器件认证、最后采购、重新设计或无需行动）及截止日期，并跟踪直至结案。没有明确流程时，PCN 往往只落入某个收件箱，再被不断转发，却没有关于“谁决定了什么”的记录。

4. 在正式通知之间持续关注库存和生命周期信号。分销商库存趋势和生命周期状态，可能会先于或伴随 PCN 发生变化。Octopart 的 BOM Tool可显示 BOM 中已匹配器件的分销商可得性和生命周期状态，因此你可以在通知到来之前，就看到某个 RF 功率器件库存下滑。

需要关注的日期

从 2026 年 12 月到 2029 年初，有五个时间点标志着 NXP 的收缩以及 Chandler 工厂的移交进程。

• 2026 年 12 月 10 日：NXP 第一波 Radio Power 停产的最终交付结束。
• 2027 年第一季度：根据 Light Reading报道的 NXP 声明，NXP 预计将完成最后一批 ECHO GaN 晶圆。
• 2027 年初：在获得监管批准的前提下，Nokia 计划开始租用其已同意收购的 Chandler 园区部分制造产能，并将该地点改造为用于光学器件的磷化铟（InP）生产基地。
• 2027 年 9 月 30 日：NXP 第二波 Radio Power 的最终交付结束。
• 2029 年第一季度：Nokia 对整个场地的收购预计完成交割。

在 2027 年选择 RF 功率器件时，首先要问供应商三个问题：谁能在目标频率下制造该器件，晶圆厂产能正在向哪里转移，以及哪些来源最有可能在产品整个服役周期内持续可行。

还有一个问题仍待解答： 一个已经存在、通过认证且有库存的器件，能否真正运送到产品制造地？本系列的收官文章 The Gallium Problem in Your Radio: Export Controls and Single-Source Front Ends将回答这个问题。